Descrição
Descrição
O susceptor de grafite MOCVD é um componente crítico em sistemas de deposição de vapor químico orgânico metálico (MOCVD). Ele serve como uma plataforma termicamente condutora de alta-temperatura, projetada para reter com segurança e aquecer uniformemente substratos semicondutores durante o crescimento epitaxial de filmes finos.
embalagem e entrega
Pacote de caixa de madeira
recurso
- Excelente condutividade térmica para transferência de calor rápida e uniforme
- Alta resistência mecânica e estabilidade dimensional sob condições extremas
- Superfície lisa e usinada com precisão para posicionamento estável do substrato
- Projetado para influenciar a dinâmica do fluxo de gás e gradientes térmicos
vantagem
- Garante espessura de filme uniforme e qualidade cristalina superior na epi-camada
- Permite alta repetibilidade e rendimento do processo através do controle estável da temperatura do substrato
- Prolonga a vida útil e reduz a contaminação por partículas devido à resistência à corrosão
- Mantém a integridade estrutural apesar dos repetidos ciclos térmicos, garantindo a confiabilidade do processo
aplicativo
- Usado principalmente em reatores MOCVD para o crescimento epitaxial de camadas semicondutoras compostas (por exemplo, GaN, GaAs, InP) em substratos como silício, carboneto de silício ou safira.
- Essencial para a fabricação de dispositivos optoeletrônicos (LEDs, diodos laser) e semicondutores de potência de radiofrequência (RF).
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